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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
作者:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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Gaas∶gd  X射线衍射  X光电子能谱  
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 967-971
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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硅  铁  低能离子束  重掺杂  
离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975
作者:  李艳丽;  陈诺夫;  周剑平;  宋书林;  杨少延;  刘志凯
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离子束淀积  X射线衍射  Gdsi  
微重力条件下开口矩形容器的小Pr热毛细对流 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 580
作者:  朱丽红;  刘秋生;  胡文瑞
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热毛细对流  微重力  晶体生长  小pr数  
在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 846
作者:  邢启江;  徐万劲;  武作兵
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Wni/半导体接触  光弹效应  Ingaasp/inp双异质结构  平面型波导器件