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出处:Journal of Crystal Growth
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Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 411-414
作者:
Jiang YN(姜燕妮)
;
Chen QS(陈启生)
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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提交时间:2012/04/01
Convection
Fluid Flow
Growth Models
Ammonothermal Growth
Gan
Single-crystals
Gallium Nitride
Heat-transfer
Fluid-flow
Proper orthogonal decomposition of oscillatory Marangoni flow in half-zone liquid bridges of low-Pr fluids
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 307, 期号: 1, 页码: 155-170
作者:
Li K(李凯)
;
Imaishi N
;
Jing CJ
;
Yoda S
;
Imaishi, N (reprint author), Kyushu Univ, Inst Mat Chem & Engn, 6-1 Kasugakoen, Kasuga, Fukuoka 8168580, Japan.
Adobe PDF(5201Kb)
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浏览/下载:867/172
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提交时间:2009/08/03
Computer Simulation
Fluid Flows
Half-zone Liquid Bridge
Marangoni Flow
Oscillatory Flow
Microgravity Condition
Low-prandtl Number Fluid
3-dimensional Numerical-simulation
Thermal-convection
Dynamical Models
Instabilities
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:
Gao FB
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Liu L
;
Zhang XW
;
Wu JL
;
Yin ZG
;
Gao, FB (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:918/263
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提交时间:2009/08/03
Crystal Structure
Liquid-phase Epitaxy
Semiconducting Iii-v Materials
Molecular-beam Epitaxy
Transport-properties
Inas1-xsbx
Alloys
Inassb
Insb
Gap
Photoluminescence
Inasxsb1-x/gaas
Superlattices
Modeling Ammonothermal Growth of GaN Single Crystals: The Role of Transport
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 296, 期号: 0, 页码: 150-158
作者:
Pendurti S
;
Chen QS(陈启生)
;
Prasad V
;
Pendurti, S (reprint author), Florida Int Univ, Dept Engn Mech, EAS 2710,10555 W Flagler St, Miami, FL 33199 USA.
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浏览/下载:889/239
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提交时间:2007/06/15
Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD)
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29
作者:
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Li YL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou, JP (reprint author), Tsing Hua Univ, Dept Mat Sci & Engn, State Key Lab New Ceram & Fine Proc, Beijing 100084, Peoples R China.
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浏览/下载:694/168
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提交时间:2009/08/03
Auger Electron Spectroscopy
Atomic Force Microscopy
Crystal Structures
X-ray Photoelectron Spectroscopy
Ion-beam Deposition
Oxides
4d Photoemission
High-resolution
Thin-films
Silicon
System
Gd2o3
Y2o3
The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)N
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289
作者:
Zhang FQ(张富强)
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Liu XL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Zhang, FQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:632/165
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提交时间:2009/08/03
X-ray Diffraction
Ion Beam depositIon
Gan/al2o3
Ferromagnetic Materials
Implanted Gan
Injection
Ga1-xMnxSb grown on GaSb substrate by liquid phase epitaxy
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 50-53
作者:
Chen CL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Liu LF
;
Li YL
;
Wu JL
;
Chen, CL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:675/158
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提交时间:2009/08/03
X-ray Diffraction
Liquid Phase Epitaxy
Semiconducting Ternary Compounds
Mn implanted GaAs by low energy ion beam deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 31-35
作者:
Song SL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou JP
;
Yin ZG
;
Li YL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song, SL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:624/138
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提交时间:2009/08/03
X-ray Diffraction
Ion Beam Deposit
Magnetic Materials
Semiconducting Gallium Arsenide
Curie-temperature
Semiconductors
Ferromagnetism
System
Mn)As
(Ga
Gan
(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455
作者:
Song SL
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Zhou JP
;
Li YL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song, SL (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1061/192
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提交时间:2009/08/03
Auger Electron Spectroscopy
X-ray Diffraction
Ion-beam Epitaxy
Gadolinium Compounds
Metal-insulator-transition
Epitaxy
Effects of Induction Heating on Temperature Distribution and Growth Rate in Large-Size SiC Growth System
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 1-3, 页码: 320-326
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Gao P(高鹏)
;
Hu WR(胡文瑞)
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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浏览/下载:778/270
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提交时间:2007/06/15