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Modeling on ammonothermal growth of GaN semiconductor crystals 期刊论文
PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, 2012, 卷号: 58, 期号: 2-3, 页码: 61-73
作者:  Chen QS(陈启生);  Yan JY(颜君毅);  Jiang YN(姜燕妮);  Li W(李炜);  Chen, QS;  Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China.
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Gan Crystal  Baffle Opening  Ammonothermal Growth  Mass Transfer  Gallium Nitride  Supercritical Ammonia  Single-crystals  Transport  Seed  
Modeling of ammonothermal growth processes of GaN crystal in large-size pressure systems 期刊论文
Research on Chemical Intermediates, 2011, 卷号: 37, 期号: 2-5, 页码: 467-477
作者:  Chen QS(陈启生);  Jiang YN(姜燕妮);  Yan JY(颜君毅);  Li W(李炜);  Prasad V;  Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：851/235  |  提交时间：2012/04/01
Gan  Ammonothermal Growth  Baffle Opening  Fluid Flow  Thermal Fields  Gallium Nitride