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收录类别:EI
出处:Journal of Crystal Growth
作者:Lu J
第一作者
语种:英语
文献类型:期刊论文
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Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 197-200
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Wei GD
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
Growth Models
X-ray Diffraction
Growth From Vapor
Single Crystal Growth
Silicon Carbide
Numerical Simulation of the Flow Field and Concentration Distribution in the Bulk Growth of Silicon Carbide Crystals
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 519-522
作者:
Lu J
;
Zhang ZB(张自兵)
;
Chen QS(陈启生)
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100080, Peoples R China.
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提交时间:2007/06/15
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