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中国科学院力学研究所机构知识库
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作者:姜燕妮
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一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置
专利
发明专利. 一种籽晶温度梯度方法生长碳化硅单晶的装置, 专利号: ZL201210169399.7, 申请日期: 2012-05-28, 授权日期: 2015-11-04
发明人:
陈启生
;
颜君毅
;
姜燕妮
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提交时间:2015/11/09
Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 385, 页码: 34-37
作者:
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Zhang H
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2014/02/13
Fluid Flows
Mass Transfer
Growth From Vapor
Semiconducting Silicon Compounds
Improvement of the thermal design in the SiC PVT growth process
会议论文
7th International Workshop on Modeling in Crystal Growth, Taipei,TW, China, OCT 28-31, 2012
作者:
Yan JY(颜君毅)
;
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Zhang H
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2014/02/24
Fluid Flows
Mass Transfer
Growth From Vapor
Semiconducting Silicon Compounds
Instabilities of vortex rings generated by surface-tension gradients between co-axial disks
期刊论文
INTERNATIONAL COMMUNICATIONS IN HEAT AND MASS TRANSFER, 2012, 卷号: 39, 期号: 10, 页码: 1542-1545
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Chen, QS
;
Chinese Acad Sci, Inst Mech, Key Lab Micrograv, 15 Beisihuan W Rd, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2013/01/18
Modeling on ammonothermal growth of GaN semiconductor crystals
期刊论文
PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, 2012, 卷号: 58, 期号: 2-3, 页码: 61-73
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Yan JY(颜君毅)
;
Jiang YN(姜燕妮)
;
Li W(李炜)
;
Chen, QS
;
Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China.
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提交时间:2013/01/18
Gan Crystal
Baffle Opening
Ammonothermal Growth
Mass Transfer
Gallium Nitride
Supercritical Ammonia
Single-crystals
Transport
Seed
磁场对双扩散液层热毛细对流的影响
期刊论文
力学学报, 2012, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 481-486
作者:
李炜
;
姜燕妮
;
颜君毅
;
陈启生
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提交时间:2013/01/16
热毛细对流
磁场
双扩散
水平温度梯度
Instabilities of surface tension driven flows between counter-rotating disks
会议论文
Asian Microgravity Pre-Symposium 9th China-Japan-Korea Workshop on Microgravity Sciences, 中国广西桂林/Guilin, China, 2012-10-29
作者:
Chen QS(陈启生)
;
Jiang YN(姜燕妮)
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提交时间:2014/04/02
Counter
Driven
Rotating
Tension
Between
Surface
Rotation
Chebyshev
Reynolds
Method
Number
Stability
Pseudo
Prandtl
Horizontal
State
Hydrothermal
Unstable
Bifurcation
Stationary
SiC晶体生长中流场的优化设计
期刊论文
工程热物理学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 308-311
作者:
颜君毅
;
陈启生
;
姜燕妮
;
李炜
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提交时间:2012/04/01
碳化硅晶体
Pvt法
场协同
浓度场
流场
氨热法生长氮化镓晶体的数值模拟
学位论文
博士论文,北京: 中国科学院力学研究所, 2011
作者:
姜燕妮
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提交时间:2011/12/30
Numerical simulation of ammonothermal growth processes of GaN crystals
会议论文
16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)/14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE14), Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:
Jiang YN(姜燕妮)
;
Chen QS(陈启生)
;
Prasad V
;
Chen, QS (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Mech, 15 Bei Si Huan Xi Rd, Beijing 100190, Peoples R China
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提交时间:2012/04/01
Convection
Fluid Flow
Growth Models
Ammonothermal Growth
Gan